电子基础-第4部分
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3。0 16 91 470 2。4K 11K 56K 300K 1。5M 7。5M
3。3 18 100 510 2。7K 12K 62K 330K 1。6M 8。2M
3。6 20 110 560 3K 13K 68K 360K 1。8M 9。1M
3。9 22 120 620 3。2K 15K 75K 390K 2M 10M
4。3 24 130 680 3。3K 16K 82K 430K 2。2M 15M
4。7 27 150 750 3。6K 18K 91K 470K 2。4M 22M
5。1 30
精度为1％的金属膜电阻，以欧姆为单位的标称值：
10 33 100 332 1K 3。32K 10。5K 34K 107K 357K
10。2 33。2 102 340 1。02K 3。4K 10。7K 34。8K 110K 360K
10。5 34 105 348 1。05K 3。48K 11K 35。7K 113K 365K
10。7 34。8 107 350 1。07K 3。57K 11。3K 36K 115K 374K
11 35。7 110 357 1。1K 3。6K 11。5K 36。5K 118K 383K
11。3 36 113 360 1。13K 3。65K 11。8K 37。4K 120K 390K
11。5 36。5 115 365 1。15K 3。74K 12K 38。3K 121K 392K
11。8 37。4 118 374 1。18K 3。83K 12。1K 39K 124K 402K
12 38。3 120 383 1。2K 3。9K 12。4K 39。2K 127K 412K
12。1 39 121 390 1。21K 3。92K 12。7K 40。2K 130K 422K
12。4 39。2 124 392 1。24K 4。02K 13K 41。2K 133K 430K
12。7 40。2 127 402 1。27K 4。12K 13。3K 42。2K 137K 432K
13 41。2 130 412 1。3K 4。22K 13。7K 43K 140K 442K
13。3 42。2 133 422 1。33K 4。32K 14K 43。2K 143K 453K
13。7 43 137 430 1。37K 4。42K 14。3K 44。2K 147K 464K
14 43。2 140 432 1。4K 4。53K 14。7K 45。3K 150K 470K
14。3 44。2 143 442 1。43K 4。64K 15K 46。4K 154K 475K
14。7 45。3 147 453 1。47K 4。7K 15。4K 47K 158K 487K
15 46。4 150 464 1。5K 4。75K 15。8K 47。5K 160K 499K
15。4 47 154 470 1。54K 4。87K 16K 48。7K 162K 511K
15。8 47。5 158 475 1。58K 4。99K 16。2K 49。9K 165K 523K
16 48。7 160 487 1。6K 5。1K 16。5K 51K 169K 536K
16。2 49。9 162 499 1。62K 5。11K 16。9K 51。1K 174K 549K
16。5 51 165 510 1。65K 5。23K 17。4K 52。3K 178K 560K
16。9 51。1 169 511 1。69K 5。36K 17。8K 53。6K 180K 562K
17。4 52。3 174 523 1。74K 5。49K 18K 54。9K 182K 576K
17。8 53。6 178 536 1。78K 5。6K 18。2K 56K 187K 590K
18 54。9 180 549 1。8K 5。62K 18。7K 56。2K 191K 604K
18。2 56 182 560 1。82K 5。76K 19。1K 57。6K 196K 619K
18。7 56。2 187 562 1。87K 5。9K 19。6K 59K 200K 620K
19。1 57。6 191 565 1。91K 6。04K 20K 60。4K 205K 634K
19。6 59 196 578 1。96K 6。19K 20。5K 61。9K 210K 649K
20 60。4 200 590 2K 6。2K 21K 62K 215K 665K
20。5 61。9 205 604 2。05K 6。34K 21。5K 63。4K 220K 680K
21 62 210 619 2。1K 6。49K 22K 64。9K 221K 681K
21。5 63。4 215 620 2。15K 6。65K 22。1K 66。5K 226K 698K
22 64。9 220 634 2。2K 6。8K 22。6K 68K 232K 715K
22。1 66。5 221 649 2。21K 6。81K 23。2K 68。1K 237K 732K
22。6 68 226 665 2。26K 6。98K 23。7K 69。8K 240K 750K
23。2 68。1 232 680 2。32K 7。15K 24K 71。5K 243K 768K
23。7 69。8 237 681 2。37 7。32K 24。3K 73。2K 249K 787K
24 71。5 240 698 2。4K 7。5K 24。9K 75K 255K 806K
24。3 73。2 243 715 2。43K 7。68K 25。5K 76。8K 261K 820K
24。7 75 249 732 2。49K 7。87K 26。1K 78。7K 267K 825K
24。9 75。5 255 750 2。55K 8。06K 26。7K 80。6K 270K 845K
25。5 76。8 261 768 2。61K 8。2K 27K 82K 274K 866K
26。1 78。7 267 787 2。67K 8。25K 27。4K 82。5K 280K 887K
26。7 80。6 270 806 2。7K 8。45K 28K 84。5K 287K 909K
27 82 274 820 2。74K 8。66K 28。7K 86。6K 294K 910K
27。4 82。5 280 825 2。8K 8。8K 29。4K 88。7K 300K 931K
28 84。5 287 845 2。87K 8。87K 30K 90。9K 301K 953K
28。7 86。6 294 866 2。94K 9。09K 30。1K 91K 309K 976K
29。4 88。7 300 887 3。0K 9。1K 30。9K 93。1K 316K 1。0M
30 90。9 301 909 3。01K 9。31K 31。6K 95。3K 324K 1。5M
30。1 91 309 910 3。09K 9。53K 32。4K 97。6K 330K 2。2M
30。9 93。1 316 931 3。16K 9。76K 33K 100K 332K
31。6 95。3 324 953 3。24K 10K 33。2K 102K 340K
32。4 97。6 330 976 3。3K 10。2K 33。6K 105K 348K
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回复：电阻精度与常用阻值
lsw0136发表评论于2006…7…24 14：12：00 理论上； 电阻器的阻值可以做得任意大从最小（如一小段固体银）到最大（如空气）。 而实际上； 我们很少见到小于0。1欧； 或大于100M欧的电阻器。
电阻器是按标称阻值来生产的； 这初看起来可能有些奇怪。 标称数值为1。0； 1。2； 1。5； 1。8； 2。2； 2。7； 3。3； 3。9； 4。7； 5。6； 6。8和8。2。 一般的阻值为这些数值乘以10的倍数。 比如你会看到47欧； 180欧； 6。8k欧或者18M欧的电阻器； 而不是380欧或650欧。 可能你会奇怪为什么选这样一组数值呢？ 可能是习惯吧； 人家就这么定了； 我们在选择电阻的时候就不得不挑最接近的啦！
除了上面列出的这些阻值之外； 还有一些用于较高精度的电阻器的标称值。 它们是1。1； 1。3； 1。6； 2。0； 2。4； 3。0； 3。6； 4。3； 5。1； 6。2； 7。5和9。1； 在选择时也是乘以10倍数。
与非门 2006…7…31 15：09：00 阅读全文（172） ｜ 回复（0） ｜ 引用（0） ｜ 查看《匠人的百宝箱》代理商品
数字电路抗干扰设计
在电子系统设计中，为了少走弯路和节省时间，应充分考虑并满足抗干扰性 的要求，避免在
设计完成后再去进行抗干扰的补救措施。形成干扰的基本要素有三个：
（1）干扰源，指产生干扰的元件、设备或信号，用数学语言描述如下：du/dt， di/dt大的地
方就是干扰源。如：雷电、继电器、可控硅、电机、高频时钟等都可 能成为干扰源。
（2）传播路径，指干扰从干扰源传播到敏感器件的通路或媒介。典型的干扰传 播路径是通过
导线的传导和空间的辐射。
（3）敏感器件，指容易被干扰的对象。如：A/D、D/A变换器，单片机，数字IC， 弱信号放大
器等。
抗干扰设计的基本原则是：抑制干扰源，切断干扰传播路径，提高敏感器件的 抗干扰性能。
（类似于传染病的预防）
1 抑制干扰源
抑制干扰源就是尽可能的减小干扰源的du/dt，di/dt。这是抗干扰设计中最优 先考虑和最重要
的原则，常常会起到事半功倍的效果。 减小干扰源的du/dt主要是通过在干扰源两端并联电容
来实现。减小干扰源的 di/dt则是在干扰源回路串联电感或电阻以及增加续流二极管来实现。
抑制干扰源的常用措施如下：
（1）继电器线圈增加续流二极管，消除断开线圈时产生的反电动势干扰。仅加 续流二极管会
使继电器的断开时间滞后，增加稳压二极管后继电器在单位时间内可动作更多的次数。
（2）在继电器接点两端并接火花抑制电路（一般是RC串联电路，电阻一般选几K 到几十K，电
容选0。01uF），减小电火花影响。
（3）给电机加滤波电路，注意电容、电感引线要尽量短。
（4）电路板上每个IC要并接一个0。01μF～0。1μF高频电容，以减小IC对电源的 影响。注意
高频电容的布线，连线应靠近电源端并尽量粗短，否则，等于增大了电 容的等效串联电
阻，会影响滤波效果。
（5）布线时避免90度折线，减少高频噪声发射。
（6）可控硅两端并接RC抑制电路，减小可控硅产生的噪声（这个噪声严重时可能 会把可控硅
击穿的）。
按干扰的传播路径可分为传导干扰和辐射干扰两类。
所谓传导干扰是指通过导线传播到敏感器件的干扰。高频干扰噪声和 有用信号的频带不同，可
以通过在导线上增加滤波器的方法切断高频干扰 噪声的传播，有时也可加隔离光耦来解决。电
源噪声的危害最大， 要特别注意处理。 所谓辐射干扰是指通过空间辐射传播到敏感器件的干
扰。 一般的解决方法是增加干扰源与敏感器件的距离，用地线把它们隔离和在敏感器件上加蔽
罩。
2 切断干扰传播路径的常用措施如下：
（1）充分考虑电源对单片机的影响。电源做得好，整个电路的抗干扰就解决了一大半。许多
